芯片制造是一个集精密工艺与尖端科技于一体的复杂过程，主要包括以下核心步骤：首先是硅晶圆制备，从石英砂中提炼高纯度硅，熔铸成圆柱形硅棒后切片，制成表面光滑的硅晶圆，这是芯片的“基底”。接着进入光刻环节，在晶圆表面涂覆光刻胶，通过光刻机（如极紫外EUV光刻机）将芯片电路图投影到光刻胶上，形成电路图案的“蓝图”。随后是刻蚀，利用等离子体等技术，将光刻胶未覆盖的晶圆部分蚀刻掉，使电路图案永久固定在硅片上。下一步是掺杂，通过离子注入或热扩散，向硅片特定区域掺入磷、硼等杂质，改变半导体导电特性，形成晶体管的PN结。之后进行薄膜沉积，用化学气相沉积（CVD）等方法在晶圆表面生成氧化层、金属层等，作为绝缘或导电材料。金属化工艺则通过电镀、蚀刻等步骤，用铜或铝制作导线，连接数以亿计的晶体管，构建完整电路。最后经过切割、封装和测试，将晶圆分割成单个芯片，封装保护后检测性能，合格芯片方可出厂。整个过程需在超洁净环境中进行，涉及材料、精密机械、光学等多学科技术，被誉为“现代工业皇冠上的明珠”。